就在去年，“抢占SiC，谁是电动汽车市场的赢家？”“第三代半导体，来势汹汹”“碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕”……这样的形容是SiC的专属标签，市场利好，一片光明。
好景没有一直延续下去。“消息称2025年中国SiC芯片价格将下降高达30%”“SiC价格跳水,开启下半场战役”……
新能源车爆火，那SiC怎么了 ？
01
核心矛盾：需求增长VS产能狂飙
根据预测2025年全球SiC衬底产能预计达400万片，需求预测仅250万片。
从需求侧来看，特斯拉Model 3为第一款采用全SiC功率模块电机控制器的纯电动汽车，开创SiC应用先河。基IGBT的诸多优势，在Model 3问世之前，世面上的新能源车均采用IGBT方案。 而 Model 3利用SiC模块替换IGBT模块，这加速了SiC等宽禁带半导体在汽车领域的推广与应用。Model 3形成“示范效应”后，多家车厂陆续跟进SiC方案。相比 IGBT，SiC 能够带动多个性能全面提升，优势显著。
2024年，特斯拉继续引领基于SiC的BEV市场，出货量接近200万辆，尽管较2023年下降5%，放缓反映了BEV市场短期内的波动，但并未动摇SiC的长期增长前景。
Yole Group预计，受2026年电动汽车需求强劲反弹的推动，SiC市场将在2024年至2029年间实现近20%的复合年增长率，到2029年市场规模超过100亿美元。
中国车企的崛起进一步巩固了这一趋势。比亚迪、蔚来、吉利和小米正积极扩展其基于SiC的BEV产品组合，试图在电动汽车市场占据更大份额。
市场前景乐观，SiC行业的供需形势却日益复杂化。许多供应商正在加大产能投入，尤其是推动从6英寸晶圆向8英寸晶圆的过渡，以提升生产效率并降低单位成本。
然而，当前的终端系统需求似乎难以匹配这一扩张规模。行业反馈显示，供应商公布的总产能可能超过短期内SiC器件的实际消耗量。
从供给侧来看，为应对这一挑战，供应商正根据订单动态调整产量，并放缓部分扩张计划，以适应2024年和2025年的市场现实。
垂直整合成为SiC市场竞争的关键策略。领先企业如意法半导体、安森美、Wolfspeed和英飞凌科技正在加大对内部晶圆制造和模块生产的投入，目标是实现10亿美元的收入增长。
通过掌控从晶圆到模块的完整生产链，企业能够优化成本、提升产品质量并快速响应市场变化。例如，英飞凌科技凭借其在汽车和工业领域的多元化布局，2024年收入逆势增长，而意法半导体和安森美则因BEV放缓面临一定压力。
今年Wolfspeed公司宣布，其位于美国纽约州莫霍克谷的全球首家、规模最大且独有的8英寸碳化硅（SiC）制造工厂。Wolfspeed 全球项目管理副总裁 Chris McCann 等人表示，该工厂占地面积广阔，在工厂建设高峰期，约有 3800 名施工人员在现场工作，未来还有 200 万平方英尺的扩建空间。迄今为止，Wolfspeed 已为该工厂雇用了 200 多名员工，预计全面运营时，可提供1800个工作岗位。
国内，三安光电公司的碳化硅衬底及外延销售已正式计入集成电路产品营业收入，并透露已具备16000片/月的6英寸碳化硅配套产能。此前信息显示，截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅衬底及外延产能已达1000片/月，8英寸碳化硅芯片产线正在建设中。重庆三安的8英寸碳化硅衬底生产线已于2025年3月投产，当前产能为500片/周，并计划逐步提升至每周1万片。
在合资方面，湖南三安与意法半导体在重庆成立的安意法半导体已于2025年2月实现通线，首次建设产能2000片/月，规划达产后8英寸外延、芯片年产能将达到48万片。此外，湖南三安与理想汽车合资成立的苏州斯科半导体，其生产的理想汽车自研自产碳化硅功率模块已于2025年2月13日下线。
财务数据显示，三安光电在2024年实现营业收入约145亿元，同比增长16.7%，其中碳化硅业务营收突破11.4亿元，同比增长高达200%，成为公司营收增长的重要驱动力。
02
过剩信号已现？
2024年底，国内6英寸SiC MOS衬底价格已降至2500-2800元人民币，全年降幅超过40%，接近成本线。从应用端看，新能源汽车是SiC市场增长的核心驱动力。国外龙头的6并碳化硅模块价格已降至2000元以内， 国产6并模块价格更低至1500元左右，SiC器件在终端市场的渗透加速。国内SiC产能扩张速度迅猛，地方政府和资本市场的支持进一步助推了产业布局。产能快速扩张也带来了市场内卷。2025年SiC衬底市场将进入淘汰阶段，中小型企业因缺乏资金和技术优势面临出局风险，而具备产业链协同能力的龙头企业将占据更大市场份额。
美国碳化硅巨头Wolfspeed深陷债务危机，股价腰斩背后是65亿美元债务压顶、业绩持续恶化与政府补贴悬而未决的三重困境。尽管手握120亿美元订单和技术优势，但电动汽车需求放缓与政策博弈使其站在破产边缘，这场危机将成为第三代半导体行业的风向标。
另外，技术上也有着替代威胁。在使用SiC基功率器件时，一直有人担心可靠性问题，并希望应用GaN作为根本解决方案。SiC晶体有200多种类型，每种都有不同的堆叠结构和构成四面体晶体结构的四个最近的原子的排列，具体而言，主要包括“3C”、“4H”、“6”、“15R”这集中结构。
每种材料都有不同的物理特性，而4H具有高迁移率，专门用于许多功率器件。人们担心的是，当器件在反复加热和冷却的环境中使用时，可能会发生相变，导致器件质量发生变化，从而发生故障和失效。
对于GaN，则有其六方纤锌矿结构和立方闪锌矿两种不同的结构。其中，前者是一种稳定相，用于器件制造；后者也是已知的，但它不是稳定相。这就是为什么在需要高可靠性的应用中希望使用 GaN 代替 SiC。
03
背后的深层原因
目前，美国政府已经承诺为该项目提供超过7 亿美元（约合人民币51亿）的资助，并已拨付部分资金用于场地准备，但大部分资金都取决于 Wolfspeed 是否达到州政府设定的招聘标准。与此同时，Wolfspeed 还计划通过《CHIPS 法案》进一步争取联邦资金。
Wolfspeed临时首席执行官 Thomas Werner 表示，保持美国在半导体技术领域的竞争力是美国两党共同关心的问题，无论未来政治形势如何变化，该项目的资金都将保持不变。
据此前报道，Wolfspeed的查塔姆工厂已于2024年3月举行一期工程封顶仪式，并有一些长晶炉设备进场，预计将在2025年上半年开始生产，竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。
值得关注的是，2019年至今，Wolfspeed旗下工厂经历了先扩产再重组的历程。在2019年-2023年，由于市场需求旺盛，而Wolfspeed自身产能不足，Wolfspeed合计公布了4次扩产计划，总投资金额超过65亿美元（约合人民币473亿）。
政策驱动下的非理性投资，可能也为SiC的市场蒙上了一层薄纱。
04
车企战略摇摆
2024年，奔驰宣布调整其原定于2030年前在主要市场实现全面电动化销售的目标。这一决定主要是基于市场需求未达到预期，以及全球电动车需求增速放缓的现实。奔驰发现，电动车的普及速度低于之前的预测，同时不同地区的市场对新能源汽车的接受程度和发展的节奏存在较大差异。
宝马则采取了燃油车与电动车并行发展的策略。尽管宝马持续推动电动化进程，但并未完全停止燃油车的研发与生产。宝马认为，在未来相当长的一段时间内，电动车与燃油车将共同存在于市场上。因此，宝马选择了更为灵活的发展路径，同时研发新一代内燃机以满足日益严格的排放标准。
丰田在电动化战略上也进行了相应调整。2022年，丰田取消了部分电动车型的生产计划，并明确表示电动车并非解决环境问题的唯一手段。丰田更加关注混合动力和氢能源技术的发展，认为电动车在生产制造及电池回收过程中可能会带来新的环境问题。
福特因电动车销量不佳及潜在的安全隐患问题，宣布减少对电动车领域的专注度。
同时，中国造车新势力正通过垂直整合加速SiC技术自主化。蔚来已成功自研量产首款900V SiC电驱系统，搭载于ET7等二代平台车型，实现模块成本降低30%；小鹏汽车与本土供应商联合开发的SiC控制模块，使其G9车型充电效率提升25%。这种差异化路径源于三个关键因素：首先，中国建立了相对完整的SiC产业链，从衬底（天科合达）到器件（比亚迪半导体）的国产化率已达40%；其次，新势力车型普遍定位高端，能消化SiC的溢价成本；更重要的是，自主掌控核心技术有助于构建差异化竞争力，如蔚来自研模块使其最大电流承载能力提升15%。行业数据显示，虽然全球车企的SiC车型规划出现波动，但中国电动车市场的SiC渗透率仍保持年均50%的增长，预示着技术路线的分化可能将持续整个产业转型期。
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